參數(shù)資料
型號(hào)： 29F002T-12
廠商： Macronix International Co., Ltd.
英文描述： 2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
中文描述： 200萬(wàn)位[256K × 8]的CMOS閃存
文件頁(yè)數(shù)： 14/51頁(yè)
文件大?。?/td> 622K
代理商： 29F002T-12
14
REV. 1.5, MAR. 28, 2005
P/N: PM0547
MX29F002/002N T/B
TEMPORARY SECTOR UNPROTECT
Parameter Std. Description
Test Setup
All Speed Options
Unit
tVIDR
VID Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
tRSP
RESET Setup Time for Temporary Sector Unprotect
Min
4
us
Note:
Not 100% tested
Temporary Sector Unprotect Timing Diagram
(For 29F002T/B only)
RESET
CE
WE
tVIDR
tVIDR
Program or Erase Command Sequence
12V
0 or 5V
0 or 5V
tRSP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
29F002T-55 2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
29F002T-70 2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
29F002T-90 2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
29F004B-55 4M-BIT [512KX8] CMOS FLASH MEMORY
29F004B-70 4M-BIT [512KX8] CMOS FLASH MEMORY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
29F002T-55 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
29F002T-70 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
29F002T-90 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT [256K x 8] CMOS FLASH MEMORY
29F004B-55 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:4M-BIT [512KX8] CMOS FLASH MEMORY
29F004B-70 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:4M-BIT [512KX8] CMOS FLASH MEMORY
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