參數(shù)資料
型號： 29F004B-55
廠商： Macronix International Co., Ltd.
英文描述： 4M-BIT [512KX8] CMOS FLASH MEMORY
中文描述： 4分位[512KX8]的CMOS閃存
文件頁數(shù)： 17/39頁
文件大?。?/td> 599K
代理商： 29F004B-55
17
MX29F004T/B
P/N:PM0554
REV. 1.9, OCT. 19, 2004
SWITCHING TEST CIRCUITS
SWITCHING TEST WAVEFORMS
COMMAND WRITE TIMING WAVEFORM
2.0V
2.0V
0.8V
0.8V
TEST POINTS
2.4V
0.45V
AC TESTING: Inputs are driven at 2.4V for a logic "1" and 0.45V for a logic "0".
Input pulse rise and fall times are <20ns.
OUTPUT
INPUT
Addresses
CE
OE
WE
DIN
tDS
tAH
Data
tDH
tCS
tCH
tCWC
tCEPH1
tCEP
tOES
tAS
VCC
5V
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
ADD Valid
DEVICE UNDER
TEST
DIODES=IN3064
OR EQUIVALENT
CL
1.2K ohm
1.6K ohm
+5V
CL=100pF Including jig capacitance
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PDF描述
29F004B-70 4M-BIT [512KX8] CMOS FLASH MEMORY
29F004B-90 4M-BIT [512KX8] CMOS FLASH MEMORY
29F004T-55 4M-BIT [512KX8] CMOS FLASH MEMORY
29F004T-70 4M-BIT [512KX8] CMOS FLASH MEMORY
29F004T-90 4M-BIT [512KX8] CMOS FLASH MEMORY
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參數(shù)描述
29F004B-70 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:4M-BIT [512KX8] CMOS FLASH MEMORY
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