參數(shù)資料
型號(hào)： 29F004B-90
廠商： Macronix International Co., Ltd.
英文描述： 4M-BIT [512KX8] CMOS FLASH MEMORY
中文描述： 4分位[512KX8]的CMOS閃存
文件頁(yè)數(shù)： 34/39頁(yè)
文件大小： 599K
代理商： 29F004B-90
34
MX29F004T/B
P/N:PM0554
REV. 1.9, OCT. 19, 2004
MIN.
MAX.
Input Voltage with respect to GND on all pins except I/O pins
-1.0V
13.5V
Input Voltage with respect to GND on all I/O pins
-1.0V
Vcc + 1.0V
Current
-100mA
+100mA
Includes all pins except Vcc. Test conditions: Vcc = 5.0V, one pin at a time.
LIMITS
TYP.(2)
PARAMETER
MIN.
MAX.(3)
UNITS
Sector Erase Time
1.3
10.4
sec
Chip Erase Time
4
32
sec
Byte Programming Time
7
210
us
Chip Programming Time
4
12
sec
Erase/Program Cycles
100,000
Cycles
LATCH-UP CHARACTERISTICS
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE (1)
Note:
1. Not 100% Tested, Excludes external system level over head.
2. Typical values measured at 25
°
C,5V.
3. Maximum values measured at 25
°
C,4.5V.
PARAMETER
MIN.
UNIT
Data Retention Time
20
Years
DATA RETENTION
相關(guān)PDF資料
PDF描述
29F004T-55 4M-BIT [512KX8] CMOS FLASH MEMORY
29F004T-70 4M-BIT [512KX8] CMOS FLASH MEMORY
29F004T-90 4M-BIT [512KX8] CMOS FLASH MEMORY
29F016-12 16M-BIT [2M X 8] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY
29F016-90 16M-BIT [2M X 8] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
29F004T-55 制造商:MCNIX 制造商全稱(chēng):Macronix International 功能描述:4M-BIT [512KX8] CMOS FLASH MEMORY
29F004T-70 制造商:MCNIX 制造商全稱(chēng):Macronix International 功能描述:4M-BIT [512KX8] CMOS FLASH MEMORY
29F004T-90 制造商:MCNIX 制造商全稱(chēng):Macronix International 功能描述:4M-BIT [512KX8] CMOS FLASH MEMORY
29F010 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:1 Mbit 128Kb x8, Uniform Block Single Supply Flash Memory
29F01045JC 制造商: 功能描述: 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
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