- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371438 > 29F022B-55 (Macronix International Co., Ltd.) 2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 29F022B-55 |
| 廠商： | Macronix International Co., Ltd. |
| 英文描述： | 2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 200萬位[256K × 8]的CMOS閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 21/46頁(yè) |
| 文件大小： | 606K |
| 代理商： | 29F022B-55 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)當(dāng)前第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)
21
P/N:PM0556
REV. 1.3, NOV. 11, 2002
MX29F022/022NT/B
AC CHARACTERISTICS TA = 0
o
C to 70
o
C, VCC = 5V
±
10%(VCC=5V
±
5% for 29F022T/B-55)
29F022T/B-55(Note2) 29F022T/B-70 29F022T/B-90
29F022T/B-12
SYMBOL
tOES
tCWC
tCEP
tCEPH1
tCEPH2
tAS
tAH
tDS
tDH
tCESC
tDF
tAETC
tAETB
tAVT
PARAMETER
OE setup time
Command programming cycle
WE programming pulse width
WE programming pulse width High
WE programming pulse width High
Address setup time
Address hold time
Data setup time
Data hold time
CE setup time before command write
Output disable time (Note 1)
Total erase time in auto chip erase
Total erase time in auto sector erase
Total programming time in auto verify
(Byte Program time)
Sector address load time
CE Hold Time
CE setup to WE going low
Voltage Transition Time
OE Setup Time to WE Active
Write pulse width for chip protect
Write pulse width for chip unprotect
MIN.
0
70
45
20
20
0
45
20
0
0
MAX.
MIN.
0
70
45
20
20
0
45
30
0
0
MAX.
MIN.
0
90
45
20
20
0
45
45
0
0
MAX.
MIN.
0
120
50
20
20
0
50
50
0
0
MAX. UNIT
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
us
20
30
40
40
3(TYP.) 24
1(TYP.) 8
7(TYP.) 210
3(TYP.) 24
1(TYP.) 8
7(TYP.) 210
3(TYP.) 24
1(TYP.) 8
7(TYP.) 210
3(TYP.) 24
1(TYP.) 8
7(TYP.) 210
tBAL
tCH
tCS
tVLHT
tOESP
tWPP1
tWPP2
100
0
0
4
4
10
12
100
0
0
4
4
10
12
100
0
0
4
4
10
12
100
0
0
4
4
10
12
us
us
us
us
us
us
ms
NOTES:
1.tDF defined as the time at which the output achieves the open circuit condition and data is no longer driven.
2.Under condition of VCC=5V
±
5%,CL=50pF, VIH/VIL=3.0V/0V, VOH/VOL=1.5V/1.5V,IOL=2mA,IOH=-2mA.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 29F022B-70 | 2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
| 29F022B-90 | 2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
| 29F022T-12 | 2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
| 29F022T-120 | 2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
| 29F022T-55 | 2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 29F022B-70 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
| 29F022B-90 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
| 29F022T-12 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
| 29F022T-120 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
| 29F022T-55 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。