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參數(shù)資料
| 型號： | 29F022B-90 |
| 廠商： | Macronix International Co., Ltd. |
| 英文描述： | 2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 200萬位[256K × 8]的CMOS閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 41/46頁 |
| 文件大小： | 606K |
| 代理商： | 29F022B-90 |
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41
P/N:PM0556
REV. 1.3, NOV. 11, 2002
MX29F022/022NT/B
MIN.
MAX.
Input Voltage with respect to GND on all pins except I/O pins
-1.0V
13.5V
Input Voltage with respect to GND on all I/O pins
-1.0V
Vcc + 1.0V
Current
-100mA
+100mA
Includes all pins except Vcc. Test conditions: Vcc = 5.0V, one pin at a time.
LIMITS
TYP.(2)
PARAMETER
MIN.
MAX.(3)
UNITS
Sector Erase Time
1
8
s
Chip Erase Time
3
24
s
Byte Programming Time
7
210
us
Chip Programming Time
3.5
10.5
sec
Erase/Program Cycles
100,000
Cycles
LATCH-UP CHARACTERISTICS
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE (1)
Note:
1.Not 100% Tested, Excludes external system level over head.
2.Typical values measured at 25
°
C,5V.
3.Maximum value measured at 25
°
C,4.5V.
PARAMETER
MIN.
UNIT
Data Retention Time
20
Years
DATA RETENTION
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 29F022T-12 | 2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
| 29F022T-120 | 2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
| 29F022T-55 | 2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
| 29F022T-70 | 2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
| 29F022T-90 | 2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 29F022T-12 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
| 29F022T-120 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
| 29F022T-55 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
| 29F022T-70 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
| 29F022T-90 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
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