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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 29F040-12 |
| 廠商： | Macronix International Co., Ltd. |
| 英文描述： | 4M-BIT [512KX8] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 4分位[512KX8]的CMOS平等部門(mén)閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 33/40頁(yè) |
| 文件大小： | 604K |
| 代理商： | 29F040-12 |
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33
P/N:PM0538
REV. 2.3, DEC. 10, 2004
MX29F040
MIN.
MAX.
Input Voltage with respect to GND on all pins except I/O pins
-1.0V
13.5V
Input Voltage with respect to GND on all I/O pins
-1.0V
Vcc + 1.0V
Current
-100mA
+100mA
Includes all pins except Vcc. Test conditions: Vcc = 5.0V, one pin at a time.
LIMITS
TYP.(2)
PARAMETER
MIN.
MAX.(3)
UNITS
Sector Erase Time
1.3
10.4
sec
Chip Erase Time
4
32
sec
Byte Programming Time
7
210
us
Chip Programming Time
4
12
sec
Erase/Program Cycles
100,000
Cycles
LATCH-UP CHARACTERISTICS
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE (1)
Note:
1.Not 100% Tested, Excludes external system level over head.
2.Typical values measured at 25
°
C,5V.
3.Maximunm values measured at 25
°
C,4.5V.
PARAMETER
MIN.
UNIT
Data Retention Time
20
Years
DATA RETENTION
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PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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