- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371439 > 29F400B-90PC (Electronic Theatre Controls, Inc.) 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 29F400B-90PC |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 4MEGABIT（為512k × 8 / 256K × 16）5VOLT扇區(qū)擦除的CMOS閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 24/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 240K |
| 代理商： | 29F400B-90PC |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁當(dāng)前第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁
BRIGHT Preliminary BM29F400T/BM29F400B
Microelectronics
Inc.
- 24 -
AC CHARACTERISTICS
Read-Only Operations
PARAMETER SYM.
DESCRIPTION
TEST SETUP
-90
-120
-150
UNIT
JEDEC
tAVAV
tAVQV
Standard
tRC
tACC
Read Cycle Time(2)
Address to Output Delay
Min.
Max.
90
90
120
120
150
150
nS
nS
CE
= V
IL
OE
= V
IL
tELQV
tGLQV
tCE
tOE
Chip Enable to Output Delay
OE
= V
IL
Max.
90
120
150
nS
Output Enable to Output
Delay
Chip Enable to Output High
Z
(3,4)
Output Enable to Output High
Z
(2,3)
Output Hold Time from
Addresses,
CE
or
OE
,
Whichever Occurs First
RESET
Pin Low to Read
Mode
(4)
Max.
35
50
55
nS
tEHQZ
tHZ
Max.
20
30
35
nS
tGHQZ
tDF
20
30
35
nS
tAXQX
tOH
Min.
0
0
0
nS
tREADY
Max.
20
20
20
mS
tELFL
tELFH
CE
to
BYTE
Switching
Low or High
Max.
5
5
5
nS
Notes:
1. Test Conditions: Output Load: 1 TTL gate and 100 pF
Input rise and fall times: 20 nS; Input pulse levels: 0.45 V to 2.4 V
2. Timing measurement reference level
Input: 0.8 and 2.0 V; Output: 0.8 and 2.0 V
3. Output driver disable time.
4. Not 100% tested.
UNDER
TEST
C
L
6.2 KOhm
IN3064 or
2.7 KOhm
Diodes = IN3064
5.0 V
Figure 7. Test Condition
Note: CL = 100 pF including jig capacitance.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 29F400B-90PI | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-90TC | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-90TI | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400T-12PC | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400T-12PI | 4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 29F400B-90PI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-90TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400B-90TI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:4MEGABIT (512K x 8/ 256K x 16) 5VOLT SECTOR ERASE CMOS FLASH MEMORY |
| 29F400BB | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 29F400BT-70EC | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。