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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 29F400C-90 |
| 廠商： | Macronix International Co., Ltd. |
| 英文描述： | 4M-BIT [512Kx8/256Kx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 5V ONLY BOOT SECTOR FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 4分位[512Kx8/256Kx16]電壓5V的CMOS單只引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 36/42頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 454K |
| 代理商： | 29F400C-90 |
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36
P/N:PM1200
MX29F400C T/B
REV. 1.0, DEC. 20, 2005
MIN.
MAX.
Input Voltage with respect to GND on all pins except I/O pins
-1.0V
13.5V
Input Voltage with respect to GND on all I/O pins
-1.0V
Vcc + 1.0V
Current
-100mA
+100mA
Includes all pins except Vcc. Test conditions: Vcc = 5.0V, one pin at a time.
LATCH-UP CHARACTERISTICS
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE(1)
Note:
1.Not 100% Tested, Excludes external system level over head.
2.Typical values measured at 25
°
C,5V.
3.Maximum values measured at 25
°
C,4.5V.
PARAMETER
MIN.
UNIT
Data Retention Time
20
Years
DATA RETENTION
LIMITS
TYP.(2)
PARAMETER
MIN.
MAX.(3)
UNITS
Sector Erase Time
0.7
15
sec
Chip Erase Time
4
32
sec
Byte Programming Time
9
300
us
Word Programming Time
11
360
us
Chip Programming Time
Byte Mode
4.5
13.5
sec
Word Mode
3
9
sec
Erase/Program Cycles
100,000
Cycles
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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