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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 29LV400C-55R |
| 廠商： | Macronix International Co., Ltd. |
| 英文描述： | 4M-BIT [512K x 8 / 256K x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 4分位[為512k × 8 / 256K × 16] CMOS單電壓3V時(shí)僅閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 53/68頁(yè) |
| 文件大小： | 906K |
| 代理商： | 29LV400C-55R |
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53
P/N:PM1155
MX29LV400C T/B
REV. 1.5, APR. 24, 2006
MIN.
MAX.
Input Voltage with respect to GND on all pins except I/O pins
-1.0V
12.5V
Input Voltage with respect to GND on all I/O pins
-1.0V
VCC + 1.0V
Current
-100mA
+100mA
Includes all pins except VCC. Test conditions: VCC = 3.0V, one pin at a time.
LIMITS
TYP.(2)
PARAMETER
MIN.
MAX.(3)
UNITS
Sector Erase Time
0.7
15
sec
Chip Erase Time
4
32
sec
Byte Programming Time
9
300
us
Word Programming Time
11
360
us
Chip Programming Time
Byte Mode
4.5
13.5
sec
Word Mode
3
9
sec
Erase/Program Cycles
100,000
Cycles
LATCH-UP CHARACTERISTICS
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE (1)
Note:
1.Not 100% Tested, Excludes external system level over head.
2.Typical values measured at 25
°
C, 3V.
3.Maximum values measured at 25
°
C, 2.7V.
DATA RETENTION
Parameter Description
Test Conditions
Min
Unit
150
°
C
10
Years
Data Retention Time
125
°
C
20
Years
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PDF描述 |
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