- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄371445 > 2M150F-050 (FUJI ELECTRIC HOLDINGS CO., LTD.) N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2M150F-050 |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC HOLDINGS CO., LTD. |
| 英文描述： | N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
| 中文描述： | N溝道硅片功率場效應管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 585K |
| 代理商： | 2M150F-050 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2M5991 | 12 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40,60,80 VOLTS 100 WATTS |
| 2MBI100NT-120-01 | CAP 1.2UF 200V 10% X7R RAD-.40 .50X.50 BULK SMPS-CAPS |
| 2MBI100U4A-120 | IGBT MODULE |
| 2MBI100U4H-170 | IGBT MODULE |
| 2MBI1200U4G-120 | IGBT-Module |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2M150Z | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 150 Volt 2 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 2M150Z A0G | 功能描述:DIODE ZENER 150V 2W DO204AC 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:150V 容差:±5% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:575 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 114V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AC，DO-15，軸向 供應商器件封裝:DO-204AC（DO-15） 標準包裝:1,500 |
| 2M150Z B0G | 功能描述:DIODE ZENER 150V 2W DO204AC 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:150V 容差:±5% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:575 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 114V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AC，DO-15，軸向 供應商器件封裝:DO-204AC（DO-15） 標準包裝:1,000 |
| 2M150Z R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Zener Single 150V 5% 2W 2-Pin DO-15 T/R |
| 2M150Z R0G | 功能描述:DIODE ZENER 150V 2W DO204AC 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:150V 容差:±5% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:575 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 114V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AC，DO-15，軸向 供應商器件封裝:DO-204AC（DO-15） 標準包裝:3,500 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。