參數(shù)資料
型號(hào)： 2MBI200TA-060
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT Module
中文描述： 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 10/14頁
文件大?。?/td> 589K
代理商： 2MBI200TA-060
H04-004-03
14
MS5F 5291
10
0
1
2
3
4
5
0
100
200
300
400
500
600
8V
10V
12V
15V
VGE= 20V
[ Inverter ]
Collector current vs. Collector-Emitter voltage
Tj= 25C (typ.)
C
Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]
0
1
2
3
4
5
0
100
200
300
400
500
600
8V
10V
12V
15V
VGE= 20V
[ Inverter ]
Collector current vs. Collector-Emitter voltage
Tj= 125C (typ.)
Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]
C
0
1
2
3
4
0
200
400
600
Tj= 25C
Tj= 125C
[ Inverter ]
Collector current vs. Collector-Emitter voltage
VGE=15V (typ.)
Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]
C
5
10
15
20
25
0
2
4
6
8
10
12
Ic=100A
Ic=200A
Ic=400A
[ Inverter ]
Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage
Tj= 25C (typ.)
C
Gate - Emitter voltage : VGE [ V ]
0
5
10
15
20
25
30
35
500
1000
5000
10000
50000
[ Inverter ]
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=0V, f= 1MHz, Tj= 25C
C
Collector - Emitter voltage : VCE [ V ]
Coes
Cres
Cies
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
0
100
200
300
400
500
[ Inverter ]
Dynamic Gate charge (typ.)
Vcc=300V, Ic=200A, Tj= 25C
Gate charge : Qg [ nC ]
C
0
5
10
15
20
25
G
a
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PDF描述
2MBI200U4B-120 IGBT MODULE
2MBI200U4D-120 IGBT MODULE
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