參數(shù)資料
型號(hào)： 2MBI200U4B-120
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT MODULE
中文描述： 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁(yè)數(shù)： 10/13頁(yè)
文件大?。?/td> 434K
代理商： 2MBI200U4B-120
H04-004-03a
MS5F6032
13
10
Switching loss vs. Gate resistance (typ.)
Vcc=600V, Ic=200A, VGE=±15V, Tj=125
o
C
Reverse bias safe operating area (max.)
+VGE=15V, -VGE <= 15V, RG >= 3.0
Ω
,
Tj <= 125
o
C
Tj=25
o
C
Vcc=600V, VGE=±15V, RG=3.0
Ω
Switching loss vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, Ic=200A, VGE=±15V,
Switching time vs. Gate resistance (typ.)
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, RG=3.0
Ω
, Tj=25
o
C
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, RG=3.0
Ω
, Tj=125
o
C
10
100
1000
10000
0
100
Collector current : Ic [ A ]
200
300
400
ton
tr
toff
tf
S
10
100
1000
10000
0
100
200
300
400
Collector current : Ic [ A ]
tf
tr
toff
ton
S
10
100
1000
10000
1
10
100
1000
Gate resistance : RG [
Ω
]
toff
tr
ton
S
tf
0
5
10
15
20
25
30
0
50
100
150
200
250
300
350
400
Collector current : Ic [ A ]
Eoff(125
o
C)
S
Eon(125
o
C)
Err(125
o
C)
Eoff(25
o
C)
Eon(25
o
C)
Err(25
o
C)
0
10
20
30
40
50
1
10
100
1000
Gate resistance : RG [
Ω
]
S
Eon
Eoff
Err
0
100
200
300
400
500
0
400
Collector-Emitter voltage : VCE [ V ]
800
1200
1600
C
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PDF描述
2MBI200U4D-120 IGBT MODULE
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