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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2MBI200U4H-120 |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT MODULE |
| 中文描述： | 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-7 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/13頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 446K |
| 代理商： | 2MBI200U4H-120 |
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H04-004-03a
MS5F6035
13
a
10
Switching loss vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, RG=3.0
Ω
Vcc=600V, Ic=200A, VGE=±15V,
Switching time vs. Gate resistance (typ.)
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, RG=3.0
Ω
, Tj=25
o
C
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, RG=3.0
Ω
, Tj=125
o
C
Tj=25
o
C
+VGE=15V, -VGE <= 15V, RG >= 3.0
Ω
,
Switching loss vs. Gate resistance (typ.)
Vcc=600V, Ic=200A, VGE=±15V, Tj=125
o
C
Reverse bias safe operating area (max.)
Tj <= 125
o
C
10
100
1000
10000
0
100
Collector current : Ic [ A ]
200
300
400
ton
tr
toff
tf
S
10
100
1000
10000
0
100
200
300
400
Collector current : Ic [ A ]
tf
tr
toff
ton
S
10
100
1000
10000
1
10
100
1000
Gate resistance : RG [
Ω
]
toff
tr
ton
S
tf
0
5
10
15
20
25
30
0
50
100
150
200
250
300
350
400
Collector current : Ic [ A ]
Eoff(125
o
C)
S
Eon(125
o
C)
Eoff(25
o
C)
Eon(25
o
C)
Err(125
o
C)
Err(25
o
C)
0
10
20
30
40
50
1
10
100
1000
Gate resistance : RG [
Ω
]
S
Eon
Eoff
Err
0
100
200
300
400
500
0
400
Collector-Emitter voltage : VCE [ V ]
800
1200
1600
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2MBI200U4H-170 | IGBT MODULE |
| 2MBI25F-120 | IGBT MODULE(L series) |
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| 2MBI300N-060-04 | |
| 2MBI300S-120 | 5-Pin, Multiple-Input, Programmable Reset ICs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2MBI200UD-120 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT MODULE U-Series |
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