參數(shù)資料
型號： 2MBI400U2B-060
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 400 A, 650 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 228K
代理商： 2MBI400U2B-060
2MBI400U2B-060
IGBT Module
Characteristics (Representative)
Vcc=300V, Ic=400A, Tj= 25°C
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj= 125°C / chip
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Dynamic Gate charge (typ.)
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj= 25°C / chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=15V / chip
Tj=25°C / chip
Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage (typ.)
0
200
400
600
800
1000
0
1
23
45
Col
le
ct
or
c
urre
nt
:Ic
[A
]
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
VGE=20V15V 12V
10V
8V
0
200
400
600
800
1000
01
23
45
Col
le
ct
or
c
urre
nt
:Ic
[A
]
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
VGE=20V15V 12V
10V
8V
0
200
400
600
800
1000
01
23
4
Col
le
ct
or
c
urre
nt
:Ic
[A
]
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Tj=125°C
Tj=25°C
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
510
15
20
25
C
ollecto
r-
Emitter
v
oltag
e
:
VC
E
[
V
]
Gate - Emitter voltage : VGE [ V ]
Ic=800A
Ic=400A
Ic=200A
0.1
1.0
10.0
100.0
010
20
30
C
ap
acitan
ce
:
C
ies
,C
oes
,C
res
[
n
F
]
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
Cies
Coes
Cres
0
400
800
1200
1600
Collector-Emitter
voltage
:V
C
E
[
100V
/div
]
Gate
-
Emitter
v
oltag
e
:
VGE
[
5
V
/d
iv
]
Gate charge : Qg [ nC ]
VGE
VCE
相關PDF資料
PDF描述
2MBI450U4J-120-50 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
2N1150 5-Pin, Multiple-Input, Programmable Reset ICs
2N1151 TRANSISTOR | BJT | NPN | 25MA I(C) | TO-22VAR
2N1153 TRANSISTOR | BJT | NPN | 25MA I(C) | TO-22VAR
2N1154 5-Pin, Multiple-Input, Programmable Reset ICs
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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