型號(hào): | 2N2904 |
元件分類: | 小信號(hào)晶體管 |
英文描述: | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
封裝: | TO-39, 3 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 1/1頁(yè) |
文件大?。?/td> | 111K |
代理商: | 2N2904 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2N3323 | 100 mA, 35 V, PNP, Ge, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
2N3331 | P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-72 |
2N333 | 25 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
2N3351DCSMG4 | 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MO-041BB |
2N335A | 25 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2N2904 | 制造商:NTE Electronics 功能描述:SILICON PNP TRANSISTOR |
2N2904_09 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR |
2N2904_10 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
2N2904A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N2904A_02 | 制造商:SEMICOA 制造商全稱:SEMICOA 功能描述:Silicon PNP Transistor |