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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N301 |
| 廠商： | GPD OPTOELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 A, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 封裝： | TO-3, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 293K |
| 代理商： | 2N301 |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2N3037 | 500 mA, 70 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-50 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N3010 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 6V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-18 |
| 2N3011 | 制造商: 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: 制造商:All American Misc. 功能描述: |
| 2N3012 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors |
| 2N3012CSM | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed LCC1 |
| 2N3013 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Fast SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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