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型號: | 2N3502 |
廠商: | SEMITRONICS CORP |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
封裝: | TO-5, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 1/4頁 |
文件大小: | 304K |
代理商: | 2N3502 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2N731 | 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
2N2350 | 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-46 |
2N2905 | 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
2N2958 | 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
2N2313 | 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-46 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2N3503 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N3504 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N3505 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N3506 | 制造商:Motorola 功能描述:3506 MOT PULL N5F3B |
2N3506_02 | 制造商:SEMICOA 制造商全稱:SEMICOA 功能描述:Silicon NPN Transistor |
*型號 | *數(shù)量 | 廠商 | 批號 | 封裝 |
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