參數(shù)資料
型號: 2N3659
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 0.5 A, 170 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-5
封裝: TO-5, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/1頁
文件大?。?/td> 98K
代理商: 2N3659
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N1613A 500 mA, 7 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5
2N4429 Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-117
2N4430 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N4431 UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
2N4429 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N366 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | TO-22VAR
2N3660 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 30V 1.5A 3PIN TO-5 - Bulk
2N3661 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 50V 1.5A 3PIN TO-5 - Bulk
2N3662 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 25MA I(C) | TO-98
2N3663 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF 12V 50mA BULK RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel