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參數(shù)資料
| 型號： | 2N3660 |
| 廠商： | SEMITRONICS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-5 |
| 封裝： | TO-5, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 474K |
| 代理商： | 2N3660 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N2332 | 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N2187 | 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N5150 | Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N3420 | 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N2658 | 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-5 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N3661 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 50V 1.5A 3PIN TO-5 - Bulk |
| 2N3662 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 25MA I(C) | TO-98 |
| 2N3663 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF 12V 50mA BULK RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| 2N3663_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN RF Transistor |
| 2N3663_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF 12V 50mA BULK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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