型號: | 2N3709-18F |
廠商: | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
封裝: | TO-92-18F, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 3/6頁 |
文件大?。?/td> | 406K |
代理商: | 2N3709-18F |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2N3903-18R | 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2SA1522-AP | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SA1525-AC | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC3330U | 200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC3086M-RC | 3 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2N3710 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N3711 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N3712 | 制造商:SSI 功能描述: |
2N3713 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN GP Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N3713 LEADFREE | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN GP Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |