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參數(shù)資料
| 型號： | 2N3798 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 封裝： | TO-18, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 105K |
| 代理商： | 2N3798 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3250A | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N2905A | 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N2894 | 200 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N2906 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N2904 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N3798A | 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:PNP SILICON ANNULAR TRANSISTORS |
| 2N3799 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Low Noise Ampl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3799A | 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:PNP SILICON ANNULAR TRANSISTORS |
| 2N3799X | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:PNP, LOW NOISE AMPLIFIER TRANSISTOR |
| 2N3799X_09 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR |
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