參數(shù)資料
型號： 2N3904-T92-K
廠商： UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
中文描述： 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-92, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 55K
代理商： 2N3904-T92-K
2N3904
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
2 of 3
QW-R201-027,B
ABS OLUT E MAX IMUM RAT ING
(Ta=25
)
PARAMETER
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
RATINGS
60
40
6
200
625
150
-55 ~ +150
UNIT
V
V
V
mA
mW
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Dissipation
Junction Temperature
Operating and Storage Temperature
Note Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.
ELECT RICAL CHARACT ERIS T ICS
(Ta=25
, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
V
CE(SAT)1
I
C
=10mA, I
B
=1mA
V
CE(SAT)2
I
C
=50mA, I
B
=5mA
V
BE(SAT)1
I
C
=10mA, I
B
=1mA
V
BE(SAT)2
I
C
=50mA, I
B
=5mA
I
CBO
V
CE
=30V, V
EB
=3V
I
BL
V
CE
=30V, V
EB
=3V
h
FE1
V
CE
=1V, I
C
=0.1mA
h
FE2
V
CE
=1V, I
C
=1mA
h
FE3
V
CE
=1V, I
C
=10mA
h
FE4
V
CE
=1V, I
C
=50mA
h
FE5
V
CE
=1V, I
C
=100mA
f
T
V
CE
=20V, I
C
=10mA, f=100MHz
C
ob
V
CB
=5V, I
E
=0, f=1MHz
V
CC
=3V,V
BE
=0.5V,I
C
=10mA,
I
B
1=1mA
t
OFF
I
B
1=1
B
2=1mA
300
μ
s, Duty Cycle
2%
TEST CONDITIONS
I
C
=10
μ
A, I
E
=0
I
C
=1mA,I
B
=0
I
E
=10
μ
A, I
C
=0
MIN TYP MAX UNIT
60
40
6
0.65
40
70
100
60
30
300
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage (note)
Emitter-Base Breakdown Voltage
V
V
V
0.2
0.3
0.85
0.95
50
50
Collector-Emitter Saturation Voltage (note)
V
Base-Emitter Saturation Voltage (note)
V
Collector Cut-off Current
Base Cut-off Current
nA
nA
300
DC Current Gain (note)
Current Gain Bandwidth Product
Output Capacitance
MHz
pF
4
Turn on Time
t
ON
70
ns
Turn off Time
Note: Pulse test: Pulse Width
250
ns
相關PDF資料
PDF描述
2N3904S Epitaxial Planar NPN Transistor(General Application,Switching Application)(外延平面NPN晶體管（通用型，開關應用）)
2N3904U Epitaxial Planar NPN Transistor(General Application,Switching Application)(外延平面NPN晶體管（通用型，開關應用）)
2N3904 NPN switching transistor( NPN開關晶體管)
2N3904 GENERAL PURPOSE NPN TRANSISTOR FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS
2N3904 General Purpose NPN Transistor For High Reliability Application(通用外延平面NPN晶體管（高可靠性）)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2N3904T93 功能描述:兩極晶體管 - BJT SW NPN 40V 0.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N3904TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N3904TAM 功能描述:功率放大器 DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 封裝 / 箱體: 工作電源電壓:28 V 電源電流:2.5 A 工作溫度范圍: 封裝:
2N3904TAR 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N3904TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 40V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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