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參數(shù)資料
| 型號： | 2N3904 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | 2N3904 |
2002. 9. 12
3/4
2N3904
Revision No : 1
C
0
COLLECTOR
CURRENT
I
(mA)
COLLECTOR
CURRENT
I
(mA)
0
C
0
BASE-EMITTER VOLTAGE V
(V)
BE
C
I
- V
10
DC
CURRENT
GAIN
h
FE
3
1
0.3
0.1
COLLECTOR CURRENT I
(mA)
C
0
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V
(V)
CE
C
I
- V
h
- I
C
COLLECTOR CURRENT I
(mA)
COLLECTOR-EMITTER
SATURATION
CE(sat)
V
- I
BASE-EMITTER
SATURATION
COLLECTOR CURRENT I
(mA)
C
BE(sat)
V
- I
1234
20
40
60
80
100
COMMON EMITTER
Ta=25 C
1
0.8
0.9
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
I =0.1mA
B
0.4
0.8
1.2
1.6
40
80
120
160
200
COMMON EMITTER
V =1V
CE
FE
C
10
30
100
300
30
50
100
300
500
1k
COMMON EMITTER
V =1V
CE
Ta=125 C
Ta=25 C
Ta=-55 C
CE(sat)
C
VOLTAGE
V
(V)
COMMON EMITTER
0.01
0.1
0.3
1
0.1
0.03
0.05
0.3
0.5
1
310
30
100
I /I =10
C
300
B
Ta=125 C
Ta=25 C
Ta=-55 C
BE(sat)
C
VOLTAGE
V
(V)
3
Ta=125 C
0.3
0.1
1
0.5
0.3
1
3
10
Ta=25 C
Ta=-55 C
30
100
300
COMMON EMITTER
I /I =10
5
10
CE
Ta=
125
C
Ta=
25
C
Ta=55
C
V
- I
B
BASE CURRENT I (mA)
0.001
0.1
1
10
CE
0
COLLECTOR-EMITTER
VOLTAGE
V
(V)
CE
B
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.01
COMMON
EMITTER
Ta=25 C
I
=1mA C
I
=10mA C
CI
=30mA
CI
=100mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3906/D10Z-J25Z | 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N3906/D81Z-J25Z | 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N3906/D29Z-J22Z | 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N3906/D10Z-J61Z | 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N3906/D29Z-J25Z | 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N3904 J05Z | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk |
| 2N3904(TE2,T) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R |
| 2N3904,116 | 功能描述:TRANS NPN SW HS 200MA 40V TO92 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2N3904,412 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW BULK STR LEAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3904 | 制造商:UNBRANDED 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-92 制造商:NTE Electronics 功能描述:RF TRANSISTOR, NPN, 40V, 250MHZ |
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