參數(shù)資料
型號(hào)： 2N3905D75Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
文件大?。?/td> 557K
代理商： 2N3905D75Z
2N3905
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
IC = 1.0 mA, IB = 0
40
V
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 10
A, I
E = 0
40
V
V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE = 10
A, I
C = 0
5.0
V
ICEX
Collector Cutoff Current
VCE = 30 V, VOB = 3.0 V
50
nA
IBL
Base Cutoff Current
VCE = 30 V, VOB = 3.0 V
50
nA
hFE
DC Current Gain
VCE = 1.0 V, IC = 0.1 mA
VCE = 1.0 V, IC = 1.0 mA
VCE = 1.0 V, IC = 10 mA
VCE = 1.0 V, IC = 50 mA
VCE = 1.0 V, IC = 100 mA
30
40
50
30
15
150
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 10 mA, IB = 1.0 mA
IC = 50 mA, IB = 5.0 mA
0.25
0.40
V
VBE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
IC = 10 mA, IB = 1.0 mA
IC = 50 mA, IB = 5.0 mA
0.65
0.85
0.95
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Cob
Output Capacitance
VCB = 5.0 V, f = 1.0 MHz
4.5
pF
Cib
Input Capacitance
VEB = 0.5 V, f = 1.0 MHz
10
pF
hfe
Small-Signal Current Gain
IC = 10 mA, VCE = 20 V,
f = 100 MHz
2.0
hfe
Small-Signal Current Gain
IC = 1.0 mA, VCE =10 V,
50
200
hre
Voltage Feedback Ratio
f = 1.0 KHz
0.1
5.0
x10
-4
hie
Input Impedance
0.5
8.0
k
hoe
Output Impedance
1.0
40
mhos
NF
Noise Figure
VCE = 5.0 V, IC = 100
A,
RS = 1.0 k
,
BW = 10 Hz to 15.7 KHz
5.0
dB
SWITCHING CHARACTERISTICS
*Pulse Test: Pulse Width ≤300s, Duty Cycle ≤2.0%
td
Delay Time
VCC = 3.0 V, ICS = 10 mA,
35
ns
tr
Rise Time
IB1 = 1.0 mA ,VOB ( off ) = 3.0 V
35
ns
ts
Storage Time
VCC = 3.0 V, ICS = 10 mA,
200
ns
tf
Fall Time
IB1 = IB2 = 1.0 mA
60
ns
ON CHARACTERISTICS*
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PDF描述
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2N3905TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N3905TAR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N3905TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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