參數(shù)資料
型號: 2N3905RL1
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
文件頁數(shù): 23/36頁
文件大?。?/td> 371K
代理商: 2N3905RL1
2N3905 2N3906
2–11
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 1. Delay and Rise Time
Equivalent Test Circuit
Figure 2. Storage and Fall Time
Equivalent Test Circuit
3 V
275
10 k
1N916
CS < 4 pF*
3 V
275
10 k
CS < 4 pF*
< 1 ns
+0.5 V
10.6 V
300 ns
DUTY CYCLE = 2%
< 1 ns
+9.1 V
10.9 V
DUTY CYCLE = 2%
t1
0
10 < t1 < 500 ms
* Total shunt capacitance of test jig and connectors
TYPICAL TRANSIENT CHARACTERISTICS
Figure 3. Capacitance
REVERSE BIAS (VOLTS)
2.0
3.0
5.0
7.0
10
1.0
0.1
Figure 4. Charge Data
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
5000
1.0
VCC = 40 V
IC/IB = 10
Q,
CHARGE
(pC)
3000
2000
1000
500
300
200
700
100
50
70
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 40
0.2 0.3
0.5 0.7
QT
QA
Cibo
Cobo
TJ = 25°C
TJ = 125°C
Figure 5. Turn – On Time
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
70
100
200
300
500
50
TIME
(ns)
1.0
2.0 3.0
10
20
70
5
100
Figure 6. Fall Time
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
5.0 7.0
30
50
200
10
30
7
20
70
100
200
300
500
50
1.0
2.0 3.0
10
20
70
5
100
5.0 7.0
30
50
200
10
30
7
20
t,
F
ALL
TIME
(ns)
f
VCC = 40 V
IB1 = IB2
IC/IB = 20
IC/IB = 10
tr @ VCC = 3.0 V
td @ VOB = 0 V
40 V
15 V
2.0 V
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PDF描述
2N3905RLRA 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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2N3906RLRM 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N3906-5 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2N3905TAR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N3905TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N3905TFR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N3906 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2