參數(shù)資料
型號： 2N5061RLRA
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 晶閘管
英文描述： Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers
中文描述： 0.8 A, 60 V, SCR, TO-92
封裝： PLASTIC, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 31K
代理商： 2N5061RLRA
Boca Semiconductor Corp.
BSC
http://www.bocasemi.com
相關PDF資料
PDF描述
2N5061RLRM Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers
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2N917A Small Signal NPN Transistors / Dual Transistors
2N917 Small Signal NPN Transistors / Dual Transistors
2N918ACSM Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed LCC1 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability Applications
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N5061RLRAG 功能描述:SCR 50V 800mA Thyristor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N5061RLRM 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers
2N5062 功能描述:SCR 0.8A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N5062G 功能描述:SCR 100V 800mA Thyristor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N5062RLRA 功能描述:SCR 100V 800mA Thyristor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
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