參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5087
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： CASE 29.04, STYLE 1 TO-92 (TO-226AA)
中文描述： 50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-226AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 49K
代理商： 2N5087
1997 Jul 02
3
Philips Semiconductors
Product specification
PNP general purpose transistor
2N5087
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
50
50
3
100
200
200
500
+150
150
+150
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
open base
open collector
65
65
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
T
amb
≤
25
°
C; note 1
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
250
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
250
250
250
TYP.
MAX.
10
50
50
800
300
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
=
10 V
I
E
= 0; V
CB
=
35 V
I
C
= 0; V
EB
=
3 V
I
C
=
100
μ
A; V
CE
=
5 V
I
C
=
1 mA; V
CE
=
5 V
I
C
=
10 mA; V
CE
=
5 V
I
C
=
10 mA; I
B
=
1 mA
nA
nA
nA
I
EBO
h
FE
emitter cut-off current
DC current gain
V
CEsat
collector-emitter saturation
voltage
base-emitter voltage
collector capacitance
emitter capacitance
transition frequency
noise figure
mV
V
BE
C
c
C
e
f
T
F
I
C
=
1 mA; V
CE
=
5 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
5 V; f = 100 kHz
I
C
= i
c
= 0; V
EB
=
500 mV; f = 1 MHz
I
C
=
500
μ
A; V
CE
=
5 V; f = 100 MHz
I
C
=
200
μ
A; V
CE
=
5 V; R
S
= 2 k
;
f = 10 Hz to 15.7 kHz
I
C
=
200
μ
A; V
CE
=
5 V; R
S
= 2 k
;
f = 1 kHz; B = 200 Hz
40
12
850
4
3
mV
pF
pF
MHz
dB
4
dB
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5087 PNP General Purpose Amplifier
2N5088 NPN general purpose transistor
2N5088 PNP/NPN SILICON AF LOW NOISE SMALL SIGNAL TRANSISTORS
2N5088 Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued)
2N5088 Mini size of Discrete semiconductor elements
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N5087/D 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:Amplifier Transistor PNP
2N5087_07 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistor PNP Silicon
2N5087_D26Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5087_D75Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5087_J18Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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