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參數(shù)資料
| 型號： | 2N5089 |
| 廠商： | AMERICAN MICROSEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 50 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 263K |
| 代理商： | 2N5089 |
133 Kings Road, Madison, NJ 07940 USA (973) 377-9566 / Fax: (973) 377-3078
Copyright 2004 American Microsemiconductor Inc. All Rights Reserved.
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STV3208
LM3909N
LM3909 LED
Flasher/Oscillator
1N4510
Standard Rectifier (trr More
Than 500ns)
2N1711
Diodes
2N5089 Spec Sheets Details Diodes, Transistors, Thyristors, Triacs, Dio...
http://www.americanmicrosemi.com/information/spec/?ss_pn=2N5089
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11/7/2009 2:11 AM
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5089 | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5090 | 400 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-210AB |
| 2N5095.MODR1 | 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-205AD |
| 2N5095 | 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N3439 | 1000 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N5089_D26Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5089_D74Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5089_D75Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5089_J18Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5089_J18Z_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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