參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5089
廠商： DIODES INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 58K
代理商： 2N5089
D
S21603 Rev. E-3
2 of 2
2N5088/89/MMBT5088/89
Electrical Characteristics @ TA = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
5088
Max
5088
Min
5089
Max
5089
Unit
Test Condition
Collector to Emitter Breakdown Voltage (Note 3) V(BR)CEO
30
—25—
V
IC = 1.0mA, IB = 0
Collector to Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
35
—30—
V
IC = 100A, IE = 0
Emitter Cutoff Current
IEBO
—
50
100
—
50
100
nA
VEB(OFF) = 3.0V, IC = 0
VEB(OFF) = 4.5V, IC = 0
Collector Cutoff Current
ICEX
—
50
—
50
nA
VCB = 20V, IE = 0
VCB = 15V, IE = 0
DC Current Gain
(Note 3)
hFE
300
350
300
900
—
400
450
400
1200
—
IC = 100A, VCE = 5.0V
IC = 1.0mA, VCE = 5.0V
IC = 10mA, VCE = 5.0V
Collector-Emitter Saturation Voltage
(Note 3)
VCE(SAT)
—
0.5
—
0.5
V
IC = 10mA, IB = 1.0mA
Base-Emitter “ON” Voltage (Note 3)
VBE(ON)
—
0.8
—
0.8
V
IC = 10mA, VCE = 5.0V
Collector to Base Capacitance
Ccb
—
4.0
—
4.0
pF
VCB = 5.0V, IE = 0
f = 100kHz
Emitter to Base Capacitance
Ceb
—
10
—
10
pF
VBE = 0.5V, IC = 0
f = 100kHz
Small Signal Current Gain
hfe
350
1400
450
1800
—
IC = 1.0mA, VCE = 5.0V,
f = 1.0kHz
Current Gain Bandwidth Product
fT
50
—
50
—
MHz
IC = 500
A, VCE = 5.0V,
RS = 10k
W
f = 20MHz
Noise Figure
NF
—
3.0
—
2.0
dB
IC = 100A, VCE = 5.0V,
RS = 10k
W,
f = 10Hz - 15.7kHz
Notes:
1. Valid provided that leads at a distance of 2.0mm from body are kept at specified ambient (TO-92).
2. Device mounted on FR-4 PCB 40 x 40 x 1.5mm..
3. Pulse test: Pulse width
l 300s, duty cycle l 2%.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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2N5095.MODR1 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-205AD
2N5095 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-5
2N3439 1000 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5
2N5114 P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-206AA
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參數(shù)描述
2N5089_D26Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5089_D74Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5089_D75Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5089_J18Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5089_J18Z_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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