參數(shù)資料
型號: 2N5401-X-T92-K
廠商: 友順科技股份有限公司
英文描述: HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
中文描述: 高壓開關(guān)晶體管
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大小: 61K
代理商: 2N5401-X-T92-K
2N5401
PNP SILICON TRANSISTOR
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
3 of 4
QW-R201-001,D
T Y PICAL CHARACT ERIS T ICS
DC Current Gain vs.
Collector Current
Collector Current, Ic (mA)
D
F
Capacitance vs. Collector-
Base Voltage
Collector-Base Voltage (V)
C
0
4
8
12
16
20
-10
0
-10
1
-10
2
f=1MHz
I
E
=0
V
CE
=-5V
10
3
10
2
10
1
10
0
-10
0
-10
3
-10
-1
-10
1
-10
2
Collector Current vs. Base-Emitter
Voltage
C
Base-Emitter Voltage (V)
0
-0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0
S
(
Saturation Voltage vs.
Collector Current
Collector Current, Ic (mA)
V
CE
=-5V
-10
3
-10
2
-10
1
-10
0
-10
-2
-10
-1
-10
0
-10
1
-10
0
-10
3
-10
-1
-10
1
-10
2
I
C
=10*I
B
V
BE(SAT)
V
CE(SAT)
Current Gain-Bandwidth Product
vs. Collector Current
C
B
Collector Current, Ic(mA)
10
3
10
2
10
1
10
0
-10
0
-10
3
-10
-1
-10
1
-10
2
V
CE
=-10V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5401C EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, HIGH VOLTAGE)
2N5401S EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, HIGH VOLTAGE)
2N5401 EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, HIGH VOLTAGE)
2N5401 PNP high-voltage transistor
2N5401 COMPLEMENTARY SILICON GENERAL PURPOSE HIGH VOLTAGE TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N5401YBU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5401YIUTA 功能描述:功率放大器 TO-92 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 封裝 / 箱體: 工作電源電壓:28 V 電源電流:2.5 A 工作溫度范圍: 封裝:
2N5401YTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5401ZL1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5401ZL1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2