參數(shù)資料
型號： 2N5462
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓40V，最小飽和漏極電流-4mA的P溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
中文描述： P溝道場效應(yīng)（最小柵源擊穿電壓40V的，最小飽和漏極電流，四毫安的P溝道結(jié)型場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 60K
代理商： 2N5462
2N/SST5460 Series
Siliconix
S-52431—Rev. C, 05-May-97
1
P-Channel JFETs
2N5460
2N5461
2N5462
SST5460
SST5461
SST5462
Product Summary
Part Number
V
GS(off)
(V)
V
(BR)GSS
Min (V)
g
fs
Min (mS)
I
DSS
Min (mA)
2N/SST5460
0.75 to 6
40
1
–1
2N/SST5461
1 to 7.5
40
1.5
–2
2N/SST5462
1.8 to 9
40
2
–4
Features
High Input Impedance
Very Low Noise
High Gain: A
V
= 80 @ 20 A
Low Capacitance: 1.2 pF Typical
Benefits
Low Signal Loss/System Error
High System Sensitivity
High-Quality Low-Level Signal
Amplification
Applications
Low-Current, Low-Voltage Amplifiers
High-Side Switching
Ultrahigh Input Impedance
Pre-Amplifiers
Description
The 2N/SST5460 series are p-channel JFETs designed to
provide all-around performance in a wide range of amplifier
and analog switch applications.
The 2N series, TO-226AA (TO-92), and SST series, TO-236
(SOT-23), plastic packages provide low cost options, and are
available in tape-and-reel for automated assembly, (see
Packaging Information).
TO-226AA
(TO-92)
Top View
S
G
D
1
2
3
D
S
G
TO-236
(SOT-23)
2
3
1
SST5460 (B0)*
SST5461 (B1)*
SST5462 (B2)*
*Marking Code for TO-236
Top View
2N5460
2N5461
2N5462
Absolute Maximum Ratings
Gate-Drain Voltage
Gate-Source Voltage
Gate Current
Storage Temperature
Operating Junction Temperature
40 V
40 V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–10 mA
–65 to 150 C
–55 to 150 C
Lead Temperature (
1
/
16
” from case for 10 sec.)
Power Dissipation
a
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
300 C
. . . . . . . . . . . . . . .
350 mW
Notes
a.
Derate 2.8 mW/ C above 25 C
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PDF描述
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2N5462_Q 功能描述:JFET P-Channel Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
2N5462-E3 功能描述:JFET 40V 4mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
2N5462G 功能描述:JFET 40V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
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