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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N5484 |
| 廠(chǎng)商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-25V，最小漏極飽和電流1mA的N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管) |
| 中文描述： | N溝道場(chǎng)效應(yīng)（最小柵源擊穿電壓- 25V的，最小漏極飽和電流1mA的的N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 85K |
| 代理商： | 2N5484 |
2N/SST5484 Series
Siliconix
P-37410—Rev. D, 04-Jul-94
5
Typical Characteristics (Cont’d)
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
–
I
D
Transfer Characteristics
V
GS(off)
= –2 V
T
A
= –55 C
125 C
–
I
D
Transfer Characteristics
T
A
= –55 C
125 C
V
GS(off)
= –3 V
25 C
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
Transconductance vs. Gate-Source Voltage
V
GS(off)
= –2 V
T
A
= –55 C
125 C
25 C
g
f
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
Transconductance vs. Gate-Source Voltgage
T
A
= –55 C
125 C
25 C
V
GS(off)
= –3 V
g
f
I
D
– Drain Current (mA)
I
D
– Drain Current (mA)
On-Resistance vs. Drain Current
Circuit Voltage Gain vs. Drain Current
0.1
1
10
T
A
= 25 C
–3 V
V
GS(off)
= –2 V
10
0.1
A
V
g
fs
R
L
R
L
g
os
1
Assume V
DD
= 15 V, V
DS
= 5 V
10 V
I
D
R
L
V
GS(off)
= –2 V
–3 V
A
V
–
10
0
8
6
4
2
0
–2
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
300
0
240
180
120
60
10
0
8
6
4
2
0
–3
–0.6
–1.2
–1.8
–2.4
10
0
8
6
4
2
0
–2
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
10
0
8
6
4
2
0
–3
–0.6
–1.2
–1.8
–2.4
100
0
80
60
40
20
V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V
f = 1 kHz
V
DS
= 10 V
f = 1 kHz
1
25 C
r
D
–
)
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PDF描述 |
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