參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5550RLRA
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Amplifier Transistors
中文描述： 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 165K
代理商： 2N5550RLRA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5550RLRP CABLE FLAT FLEX 8 COND .050,1
2N5550 Amplifier Transistors
2N5550 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
2N5550 Epitaxial Planar NPN Transistor(General Application,High Voltage Application)(外延平面NPN晶體管（通用型，高電壓應(yīng)用）)
2N5551-A-AB3-B HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N5550RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5550RLRP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5550RLRPG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5550S 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
2N5550S_99 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
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