型號(hào): | 2N5653R-STYLE-E |
元件分類: | 小信號(hào)晶體管 |
英文描述: | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-226AA |
文件頁數(shù): | 1/3頁 |
文件大?。?/td> | 107K |
代理商: | 2N5653R-STYLE-E |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2N3819-STYLE-B | Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
2N5640-STYLE-A | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-226AA |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2N5654 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 15MA I(DSS) | TO-92 |
2N5655 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 250V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N5655/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Plastic NPN Silicon High-Voltage Power Transistor |
2N5655_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Plastic NPN Silicon High−Voltage Power Transistor |
2N5655G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 250V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |