參數(shù)資料
型號： 2N5679
廠商： SEMELAB LTD
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP SILICON TRANSISTORS
中文描述： 1000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD
封裝： METAL CAN, TO-39, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 20K
代理商： 2N5679
DESCRIPTION
The 2N5679 and 2N5680 are silicon
expitaxial planar PNP transistors in
jedec TO-39 metal case intended for
use as drivers for high power transis-
tors in general purpose, amplifier and
switching circuit
The complementary NPN types are the
2N5681 and 2N5682 respectively
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
CASE
= 25°c unless otherwise stated
V
CBO
Collector – Base Voltage
V
CEO
Collector – Emitter Voltage (I
B
= 0)
V
EBO
Emitter – Base Voltage (I
C
= 0)
I
C
Continuous Collector Current
I
B
Base Current
P
tot
Total Dissipation at T
case
￡
25°C
2N5680
-120V
-120V
2N5679
-100V
-100V
2N5679
2N5680
LA B
S E M E
Prelim. 3/00
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
http://www.semelab.co.uk
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5679 PNP/NPN HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTORS
2N5680 PNP/NPN HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTORS
2N5679 Small Signal Transistors
2N5680 Small Signal Transistors
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參數(shù)描述
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2N5680 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Ampl/Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5680 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR
2N5681 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Ampl/Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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