參數(shù)資料
型號： 2N5681SMD05
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | SMT
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 100V的五（巴西）總裁| 1A條一（c）|貼片
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 42K
代理商： 2N5681SMD05
Parameter
Test Conditions
I
E
= 0
for 2N5681
for 2N5682
V
BE
= -1.5
for 2N5681
for 2N5682
Tcase= 150°C
for 2N5681
for 2n5682
I
B
= 0
for 2N5681
for 2N5682
I
C
= 0
I
B
= 0
for 2N5681
for 2N5682
I
C
= 250mA
I
C
= 500mA
I
C
= 1A
I
C
= 250mA
I
C
= 250mA
I
C
= 1A
I
C
= 100mA
f = 10MHz
I
E
= 0
f = 1MHz
I
C
= 0.2A
f = 1KHz
Min.
Typ.
Max.
Unit
μA
μA
mA
μA
V
MHz
pF
R
thj-case
R
thj-amb
17.5
175
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
°C/W
°C/W
1
1
1
1
1
1
10
10
1
100
120
0.6
1
2
1
150
40
5
30
50
40
2N5681
2N5682
Prelim.3/00
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
I
CBO
I
CEV
I
CEO
I
EBO
V
CEO(sus)*
V
CE(sat)*
V
BE*
h
FE*
f
T
C
CBO
h
fe
Collector Cut Off Current
Collector Cut Off Current
Collector Cut Off Current
Emitter Cut Off Current
Collector Emitter Sustaining Voltage
Collector Emitter Saturation Voltage
Base Emitter Voltage
DC Current Gain
Transistion Frequency
Collector Base Capacitance
Small Signal Current Gain
V
CB
= 100V
V
CB
= 120V
V
CE
= 100V
V
CE
= 120V
V
CE
= 100V
V
CE
= 120V
V
CE
= 70V
V
CE
= 80V
V
EB
= 4V
I
C
= -10mA
I
B
= 25mA
I
B
= 50mA
I
B
= 200mA
V
CE
= 2V
V
CE
= 2V
V
CE
= 2V
V
CE
= 10V
V
CB
= 20V
V
CE
= 1.5V
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Tcase= 25°C unless otherwise stated)
* Pulse test t
p
= 300
m
s ,
d
< 2%
THERMAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5685 High-Current Complementary Silicon Power Transistor(50A，300W，60V（集電極-發(fā)射極），大電流，補償型硅NPN功率晶體管)
2N5744 TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-66
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N5682 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Ampl/Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5682 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR
2N5683 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 60V 50A 3PIN TO-3 - Bulk 制造商:NTE Electronics 功能描述:TRANSISTOR PNP -60V 制造商:NTE Electronics 功能描述:TRANSISTOR, PNP, -60V 制造商:NTE Electronics 功能描述:TRANSISTOR, PNP, -60V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V; Transition Frequency Typ ft:2MHz; Power Dissipation Pd:300W; DC Collector Current:-50A; DC Current Gain hFE:15; Operating Temperature Min:-65C ;RoHS Compliant: Yes
2N5684 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50A 80V 300W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5684/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:High-Current Complementary Silicon Power Transistors
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