參數(shù)資料
型號： 2N5685
廠商： MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： POWER TRANSISTORS(50A,300W)
中文描述： 50 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
封裝： TO-3, 2 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 185K
代理商： 2N5685
A
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PDF描述
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2N4398 PNP SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS
2N4399 PNP SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS
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參數(shù)描述
2N5685_1 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTOR
2N5686 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50A 80V 300W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5686 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR
2N5686G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50A 80V 300W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5686JTX 制造商:MILITARY SPECIFICATIONS P 功能描述:
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