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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N5685 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | High-Current Complementary Silicon Power Transistor(50A，300W，60V（集電極-發(fā)射極），大電流，補(bǔ)償型硅NPN功率晶體管) |
| 中文描述： | 50 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AE |
| 封裝： | CASE 197A-05, 2 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 126K |
| 代理商： | 2N5685 |
2N5684 2N5685 2N5686
http://onsemi.com
5
V
V
500
0.5
Figure 8. DC Current Gain
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
5.0
0.7
1.0
2.0
5.0 7.0
10
20
50
70
30
20
10
7.0
100
50
h
T
J
= +150
°
C
+25
°
C
-55
°
C
200
300
V
CE
= 2.0 V
V
CE
= 10 V
3.0
30
PNP
2N5684
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
h
T
J
= +150
°
C
+25
°
C
-55
°
C
V
CE
= 2.0 V
V
CE
= 10 V
NPN
2N5685, 2N5686
Figure 9. Collector Saturation Region
2.0
0.1
I
B
, BASE CURRENT (AMP)
0
0.2
1.0
2.0
5.0
10
0.8
0.4
I
C
= 10 A
T
J
= 25
°
C
25 A
1.2
1.6
0.5
3.0
40 A
0.1
I
B
, BASE CURRENT (AMP)
0.2
1.0
2.0
5.0
10
I
C
= 10 A
T
J
= 25
°
C
25 A
0.5
3.0
40 A
0.3
2.5
0.5
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
10
20
50
2.0
1.5
1.0
0.5
0
T
J
= 25
°
C
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
Figure 10. “On” Voltages
30
V
BE
@ V
CE
= 2.0 V
7.0
2.0
0.5
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
10
20
50
1.6
1.2
0.8
0.4
0
T
J
= 25
°
C
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
30
V
BE
@ V
CE
= 2.0 V
500
0.5
5.0
0.7
1.0
2.0
5.0 7.0
10
20
50
70
30
20
10
7.0
100
50
200
300
3.0
30
2.0
0
0.8
0.4
1.2
1.6
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5744 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-66 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N5685_1 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
| 2N5686 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50A 80V 300W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5686 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR |
| 2N5686G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50A 80V 300W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5686JTX | 制造商:MILITARY SPECIFICATIONS P 功能描述: |
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