參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5883
廠商： MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP.
英文描述： POWER TRANSISTORS(25A,200W)
中文描述： 功率晶體管（第25A，功率200W）
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大小： 183K
代理商： 2N5883
A
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PDF描述
2N5883 COMPLEMENTARY SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS
2N5884 COMPLEMENTARY SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS
2N5885 COMPLEMENTARY SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS
2N5886 COMPLEMENTARY SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS
2N5884 POWER TRANSISTORS(25A,200W)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N5883 制造商:UNBRANDED 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-3
2N5883/D 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:Complementary Silicon High-Power Transistors
2N5883G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 60V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5884 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5884G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 80V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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