參數(shù)資料
型號： 2N5884
廠商： MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 25 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-3, 2 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 147K
代理商： 2N5884
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
DYNAMICCHARACTERISTICS
fT
Current-Gain—Bandwidth Product
(3)
(IC=1.0Adc, VCE=10Vdc, f=1.0MHz)
4.0
---
MHz
Cob
Output Capacitance
(VCB=10Vdc, IE=0, f=1.0MHz)
---
1000
pF
hfe
Small-Signal Current Gain
(IC=3.0Adc, VCE=4.0Vdc, f=1.0KHz)
20
---
SWITCHING CHARACTERISTICS
tr
Rise Time
---
0.7
us
ts
Storage Time
---
1.0
us
tf
Fall Time
(VCC=30Vdc, IC=10Adc, IB1=IB2=1.0Adc)
---
0.8
us
3. fT=|hfe| X ftest
MCC
2N5884
200
0
25
50
75
100
125
150
200
Figure 1. Power Derating
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
P D
,POWER
DISSIP
ATION
(W
ATTS)
175
100
75
50
125
150
25
175
1000
0.3
Figure 2. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPERES)
10
0.5 0.7 1.0
3.0
5.0 7.0 10
30
70
30
20
100
50
h FE
,DC
CURRENT
GAIN 200
300
VCE = 4.0 V
2.0
20
700
500
TJ = 150°C
25°C
-55°C
www.mccsemi.com
Revision: 2
2003/04/30
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PDF描述
2N5930 30 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
2N5929 30 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
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2N3714 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
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參數(shù)描述
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2N5885 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 60V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5885 LEADFREE 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5885G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 60V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5886 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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