參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6031
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
中文描述： 16 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
封裝： CASE 1-07, TO-3, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大小： 118K
代理商： 2N6031
2N5631 2N6031
http://onsemi.com
2
(1) Pulse Test: Pulse Width
300
μ
s, Duty Cycle
2.0%.
(2) f
T
= |h
fe
|
f
test
OFF CHARACTERISTICS
CB
CB
E
(I
C
= 200 mAdc, I
B
= 0)
I
CEO
140
2.0
–
mAdc
Collector–Emitter Cutoff Current
CE
B
(V
CE
= Rated V
CB
, V
EB(off)
= 1.5 Vdc, T
C
= 150 C)
–
7.0
mAdc
(V
= 7.0 Vdc, I
= 0)
Collector–Base Cutoff Current
I
CBO
–
2.0
mAdc
EBO
mAdc
(I
C
= 8 Adc, V
CE
= 2.0 Vdc)
15
60
C
B
(I
C
= 16 Adc, I
B
= 4.0 Adc)
CE(sat)
–
–
2.0
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
V
1.8
(I
= 8.0 Adc, V
= 2.0 Vdc)
BE(on)
CB
E
(I
C
= 1.0 Adc, V
CE
= 20 Vdc, f
test
= 0.5 MHz)
2N5631
–
500
pF
Output Capacitance
C
(I
= 4.0 Adc, V
= 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
fe
Figure 2. Switching Times Test Circuit
+11 V
25
μ
s
0
-9.0 V
R
B
-4 V
D
1
SCOPE
V
CC
+30 V
R
C
t
r
, t
f
≤
10 ns
DUTY CYCLE = 1.0%
3.0
2.0
0.2
Figure 3. Turn–On Time
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
t
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.03
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
7.0
20
T
J
= 25
°
C
I
C
/I
B
= 10
V
CE
= 30 V
0.07
0.05
5.0
10
t
r
t
d
@ V
BE(off)
= 5.0 V
51
R
B
and R
C
VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
D
1
MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.:
1N5825 USED ABOVE I
B
≈
100 mA
MSD6100 USED BELOW I
B
≈
100 mA
For PNP test circuit, reverse all polarities and D1.
2N5631
2N6031
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PDF描述
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參數(shù)描述
2N6031G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 140V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6032 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 90V 50A 3PIN TO-3 - Bulk 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
2N6033 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 120V 40A 3-Pin(2+Tab) TO-3 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 120V 40A 3PIN TO-3 - Bulk
2N6034 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2N6034G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 4A 40V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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