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參數(shù)資料
| 型號： | 2N6040BG |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 8 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 23/61頁 |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | 2N6040BG |
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2N6040 thru 2N6042 2N6043 thru 2N6045
3–91
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Figure 4. Thermal Response
t, TIME OR PULSE WIDTH (ms)
1.0
0.01
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
r(t)
,EFFECTIVE
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
1000
500
θJC(t) = r(t) θJC
θJC = 1.67°C/W
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) θJC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
D = 0.5
0.2
0.05
0.02
0.1
0.7
0.3
0.07
0.03
0.02 0.03
0.3
3.0
30
300
SINGLE PULSE
0.01
20
1.0
Figure 5. Active–Region Safe Operating Area
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10
5.0
2.0
1.0
0.02
2.0
3.0
7.0
50
100
BONDING WIRE LIMITED
THERMALLY LIMITED @ TC = 25°C
(SINGLE PULSE)
SECOND BREAKDOWN LIMITED
70
I C
,C
OLLE
CT
OR
C
URREN
T
(AMP
)
TJ = 150°C
dc
1.0 ms
100
s
0.5
0.2
0.05
5.0
2N6040, 2N6043
2N6041, 2N6044
2N6045
0.1
10
20
30
500
s
5.0 ms
CURVES APPLY BELOW RATED VCEO
There are two limitations on the power handling ability of a
transistor: average junction temperature and second break-
down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of
the transistor that must be observed for reliable operation;
i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
tion than the curves indicate.
The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 150_C; TC is
variable depending on conditions. Second breakdown pulse
limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
< 150
_C. TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 4.
At high case temperatures, thermal limitations will reduce the
power that can be handled to values less than the limitations
imposed by second breakdown.
300
Figure 6. Small–Signal Current Gain
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
30
0.5
1.0
2.0
100
5.0
0.1
0.2
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
200
70
50
TJ = 25°C
Cib
100
Cob
PNP
NPN
10,000
1.0
Figure 7. Capacitance
f, FREQUENCY (kHz)
10
2.0
5.0
20
50
1000
100
10
20
h
fe
,SMALL–SIGNAL
C
URREN
T
GAIN
5000
3000
2000
1000
500
300
200
100
50
30
20
200
500
PNP
NPN
TC = 25°C
VCE = 4.0 Vdc
IC = 3.0 Adc
50
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| 2N6041 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Darl SW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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