型號: | 2N6043-6263 |
廠商: | HARRIS SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | 8 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
文件頁數(shù): | 4/4頁 |
文件大小: | 121K |
代理商: | 2N6043-6263 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2N6043-DR6259 | 8 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
2N6045-6265 | 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
2N6043-6203 | 8 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
2N6044-DR6260 | 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
2N6043-6255 | 8 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2N6043G | 功能描述:達林頓晶體管 8A 60V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
2N6044 | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Darl Pwr RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
2N6045 | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Darl SW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
2N6045G | 功能描述:達林頓晶體管 8A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
2N6046 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 60V 20A 3PIN TO-63 - Bulk |