- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄41439 > 2N6043AN (ON SEMICONDUCTOR) 8 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2N6043AN |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 8 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/61頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | 2N6043AN |
當(dāng)前第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁
3–89
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Plastic Medium-Power
Complementary Silicon
Transistors
. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications.
High DC Current Gain —
hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc
Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mAdc —
VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) — 2N6040, 2N6043
VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) — 2N6041, 2N6044
VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) — 2N6042, 2N6045
Low Collector–Emitter Saturation Voltage —
VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc — 2N6040,41, 2N6043,44
VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc — 2N6042, 2N6045
Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors
MAXIMUM RATINGS (1)
Rating
Symbol
2N6040
2N6043
2N6041
2N6044
2N6042
2N6045
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
60
80
100
Vdc
Collector–Base Voltage
VCB
60
80
100
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEB
5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
Peak
IC
8.0
16
Adc
Base Current
IB
120
mAdc
Total Power Dissipation @ TC = 25_C
Derate above 25
_C
PD
75
0.60
Watts
W/
_C
Total Power Dissipation @ TA = 25_C
Derate above 25
_C
PD
2.2
0.0175
Watts
W/
_C
Operating and Storage Junction,
Temperature Range
TJ, Tstg
– 65 to + 150
_C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
θJC
1.67
_C/W
Thermal Resistance, Junction to Ambient
θJA
57
_C/W
(1) Indicates JEDEC Registered Data.
80
0
20
40
60
80
100
120
160
Figure 1. Power Derating
T, TEMPERATURE (
°C)
P
D
,POWER
DISSIP
A
TION
(W
A
TTS)
40
20
60
140
TC
4.0
0
2.0
1.0
3.0
TA
TC
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
2N6040
thru
2N6042
2N6043
thru
2N6045
*Motorola Preferred Device
DARLINGTON
8 AMPERE
COMPLEMENTARY
SILICON
POWER TRANSISTORS
60 – 80 – 100 VOLTS
75 WATTS
*
CASE 221A–06
TO–220AB
PNP
NPN
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6044AF | 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6040AF | 8 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6040BG | 8 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6045AS | 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6043DW | 8 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N6043G | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 8A 60V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6044 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Darl Pwr RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6045 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Darl SW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6045G | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 8A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6046 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 60V 20A 3PIN TO-63 - Bulk |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。