參數(shù)資料
型號： 2N6045BV
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 60/61頁
文件大小： 418K
代理商： 2N6045BV
Selector Guide
2–6
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Table 2. Plastic TO–220AB (continued)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
Resistive Switching
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
Device Type
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
@ IC
Amp
tf
s
Max
ts
s
Max
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
PNP
NPN
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
8
60
2N6043(2)
2N6040(2)
1k/10k
4
1.5 typ
3
4(1)
75
80
2N6044 (2)
2N6041 (2)
1k/10k
4
1.5 typ
3
4(1)
75
BDX53B (2)
BDX54B (2)
750 min
3
4(1)
60
100
2N6045 (2)
2N6042 (2)
1k/10k
3
1.5 typ
3
4(1)
75
BDX53C (2)
BDX54C (2)
750 min
3
TIP102 (2)
TIP107 (2)
1k/20k
3
1.5 typ
3
4(1)
80
120
MJE15028
MJE15029
20 min
4
30
50
150
MJE15030
MJE15031
20 min
4
30
50
200
BU806 (2)
100 min
5
0.55 typ
0.2 typ
5
60
300/600
MJE5740(2)
200 min
4
8 typ
2 typ
6
4
80
MJE5850
15 min
2
0.5
4
80
350
MJE5741 (2)
200 min
4
8 typ
2 typ
6
80
MJE5851
15 min
2
0.5
4
80
MJE5742 (2)
200 min
4
8 typ
2 typ
6
80
MJE13007
5/30
5
3
0.7
5
80
MJE5852
15 min
2
0.5
4
80
400/650
MJE16106
6/22
8
2 typ
0.1 typ
5
100
400/700
BUL147
14/34
1
2.5(3)
0.18(3)
2
14 typ
125
450/1000
MJE18008
16/34
1
2.75(3)
0.18(3)
2
13 typ
125
10
20
BD808
15 min
4
1.5
90
60
D44H8
D45H8
40 min
4
50
MJE3055T
MJE2955T
20/70
4
75
2N6387 (2)
2N6667 (2)
1k/20k
5
20(1)
65
80
BDX33B (2)
BDX34B (2)
750 min
3
70
BD809
BD810
15 min
4
1.5
90
2N6388 (2)
2N6668 (2)
1k/20k
5
20(1)
65
D44H10
D45H10
20 min
4
0.5 typ
0.14 typ
5
50 typ
50
D44H11
D45H11
40 min
4
0.5 typ
0.14 typ
5
50 typ
50
(1)|hFE| @ 1 MHz
(2)Darlington
(3)Switching tests performed w/special application simulator circuit. See data sheet for details.
(7)VCEO = 375 V
(8)When 2 voltages are given, the format is VCEO(sus)/VCES.
(9)Self protected Darlington
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6042AU 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6040BC 8 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6040AN 8 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6040BV 8 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6042AS 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6045G 功能描述:達林頓晶體管 8A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2N6046 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 60V 20A 3PIN TO-63 - Bulk
2N6047 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 100V 20A 3PIN TO-63 - Bulk
2N6048 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 140V 20A 3PIN TO-63 - Bulk
2N6049 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 55V 4A 3PIN TO-66 - Bulk
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