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參數(shù)資料
| 型號： | 2N6051 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 12 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 封裝： | METAL, TO-3, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 34/61頁 |
| 文件大?。?/td> | 432K |
| 代理商： | 2N6051 |
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2N6050 thru 2N6052 2N6057 thru 2N6059
3–96
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
20,000
0.2
Figure 10. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
200
0.3
0.5
1.0
2.0
20
h
FE
,DC
C
URREN
T
GAIN
10
PNP
2N6050, 2N6051, 2N6052
NPN
2N6057, 2N6058, 2N6059
Figure 11. Collector Saturation Region
3.0
0.5
IB, BASE CURRENT (mA)
1.0
2.0
10
50
1.8
IC = 3.0 A
TJ = 25°C
6.0 A
2.2
2.6
5.0
3.0
0.2
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.3
0.5
1.0
3.0
20
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VCE(sat) @ IC/IB = 250
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
Figure 12. “On” Voltages
VBE @ VCE = 3.0 V
2.0
10,000
TJ = 150°C
25
°C
–55
°C
20
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
VCE = 3.0 V
TJ = 150°C
25
°C
–55
°C
1.4
9.0 A
IB, BASE CURRENT (mA)
TJ = 25°C
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
TJ = 25°C
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
VBE @ VCE = 3.0 V
5000
3000
2000
1000
500
300
3.0
5.0
VCE = 3.0 V
40,000
0.2
400
0.3
0.5
1.0
2.0
20
10
20,000
10,000
6,000
4,000
2,000
1,000
600
3.0
5.0
3.0
1.0
1.8
2.2
2.6
1.4
10
5.0
3.0
0.2 0.3
0.5
1.0
3.0
20
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
2.0
10
5.0
30
12 A
IC = 3.0 A
6.0 A
9.0 A
12 A
0.5
1.0
2.0
10
50
5.0
20
3.0
30
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VCE(sat) @ IC/IB = 250
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| 2N6052 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Pwr Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6052 (JANTX SCREENED) | 制造商:NJS 功能描述: |
| 2N6052 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-3 |
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