參數(shù)資料
型號(hào): 2N6109AN
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 22/60頁(yè)
文件大?。?/td> 371K
代理商: 2N6109AN
Outline Dimensions and Leadform Options
5–8
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
TO–220 Leadform Options (continued)
LEADFORM BV
LEADFORM BU
LEADFORM BD
LEADFORM DW
UNDERSIDE
OF LEAD
MOUNTING
SURFACE
.094
± .01 .005 ±.005
.102
± .003
0.005
± 0.005
.223
± .010
.20 REF.
.100 REF.
0.102
± 0.005
0.680
± 0.005
.735
± .010
.610
± .010
.680
±.005
.800
± .050
3 LEADS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6111BS 7 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6109AF 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6107AU 7 A, 70 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6109AJ 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6288AK 7 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6109G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 7A 50V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6110 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon PNP Power Transistors
2N6111 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6111_03 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:SILICON PNP SWITCHING TRANSISTOR
2N6111G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 7A 30V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2