參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6109AU
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/60頁(yè)
文件大?。?/td> 371K
代理商： 2N6109AU
3–101
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Complementary Silicon Plastic
Power Transistors
. . . designed for use in general–purpose amplifier and switching applications.
DC Current Gain Specified to 7.0 Amperes
hFE = 30–150 @ IC = 3.0 Adc — 2N6111, 2N6288
hFE = 2.3 (Min) @ IC = 7.0 Adc — All Devices
Collector–Emitter Sustaining Voltage —
VCEO(sus) = 30 Vdc (Min) — 2N6111, 2N6288
VCEO(sus) = 50 Vdc (Min) — 2N6109
VCEO(sus) = 70 Vdc (Min) — 2N6107, 2N6292
High Current Gain — Bandwidth Product
fT = 4.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc — 2N6288, 90, 92
fT = 10 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc — 2N6107, 09, 11
TO–220AB Compact Package
*MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
2N6111
2N6288
2N6109
2N6107
2N6292
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
30
50
70
Vdc
Collector–Base Voltage
VCB
40
60
80
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEB
5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
Peak
IC
7.0
10
Adc
Base Current
IB
3.0
Adc
Total Power Dissipation @ TC = 25_C
Derate above 25
_C
PD
40
0.32
Watts
W/
_C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 65 to + 150
_C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
R
θJC
3.125
_C/W
* Indicates JEDEC Registered Data.
40
0
20
40
60
80
100
120
160
Figure 1. Power Derating
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
P
D
,POWER
DISSIP
A
TION
(W
A
TTS)
20
30
140
10
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
2N6057 thru 2N6059
(See 2N6050)
2N6107
2N6109
2N6111
2N6288
2N6292
*Motorola Preferred Device
7 AMPERE
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY
SILICON
30 – 50 – 70 VOLTS
40 WATTS
*
CASE 221A–06
TO–220AB
PNP
NPN
REV 2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6288BU 7 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2N6107DW 7 A, 70 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6109BS 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6109DW 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6111AK 7 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6109G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 7A 50V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6110 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon PNP Power Transistors
2N6111 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6111_03 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:SILICON PNP SWITCHING TRANSISTOR
2N6111G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 7A 30V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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