型號: | 2N6109DW |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
封裝: | TO-220AB, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 48/60頁 |
文件大?。?/td> | 371K |
代理商: | 2N6109DW |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2N6110 | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon PNP Power Transistors |
2N6111 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N6111_03 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:SILICON PNP SWITCHING TRANSISTOR |
2N6111G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 7A 30V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |