型號(hào): | 2N6118 |
英文描述: | PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTOR|TO-18 |
中文描述: | 可編程單結(jié)晶體管|到18 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/4頁(yè) |
文件大?。?/td> | 324K |
代理商: | 2N6118 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
2N6137 | Military Planar TO-18 Hermetic |
2N6147 | SILICON BIDIRECTIOANAL TRIODE THYRISTORS |
2N5571 | SILICON BIDIRECTIOANAL TRIODE THYRISTORS |
2N5572 | SILICON BIDIRECTIOANAL TRIODE THYRISTORS |
2N5573 | SILICON BIDIRECTIOANAL TRIODE THYRISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
2N6119 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTOR|TO-18 |
2N6120 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTOR|TO-18 |
2N6121 | 制造商:n/a 功能描述:2N6121 MOT N9H1D 制造商:Motorola Inc 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-220AB |
2N6122 | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
2N6123 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Med Pwr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |